地点：天津大学综合实验楼8层会议室

天津市集成电路行业协会

天津市集成电路设计中心

聚焦离子束（FIB）技术在芯片设计及加工过程中的应用

FIB技术介绍

FIB(聚焦离子束)是将液态金属(Ga)离子源产生的离子束经过离子枪加速,聚焦后照射于样品表面产生二次电子信号取得电子像.此功能与SEM（扫描电子显微镜）相似,或用强电流离子束对表面原子进行剥离,以完成微、纳米级表面形貌加工.通常是以物理溅射的方式搭配化学气体反应，有选择性的剥除金属,氧化硅层或沉积金属层。

FIB技术的在芯片设计及加工过程中的应用介绍

FIB应用项目

l IC芯片电路修改

用FIB对芯片电路进行物理修改可使芯片设计者对芯片问题处作针对性的测试,以便更快更准确的验证设计方案。 若芯片部份区域有问题,可*FIB对此区域隔离或改正此区域功能,以便找到问题的症结。
FIB还能在*终产品量产之前提供部分样片和工程片,利用这些样片能加速终端产品的上市时间。利用FIB修改芯片可以减少不成功的设计方案修改次数，缩短研发时间和周期。

l Cross-Section 截面分析

用FIB在IC芯片特定位置作截面断层,以便观测材料的截面结构与材质,定点分析芯片结构缺陷。

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